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      碳化硅(SiC)器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

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      陜西開(kāi)爾文測(cè)控技術(shù)有限公司

      • 聯(lián)系人:杜浩晨
      • 官網(wǎng)地址:www.kewtest.cn
      • 經(jīng)營(yíng)模式:制造商
      • 主營(yíng)產(chǎn)品:IGBT測(cè)試儀,IGBT測(cè)試系統(tǒng),半導(dǎo)體器件測(cè)試儀,軌道交通IGBT測(cè)試儀
      • 所在地:陜西省#陜西省陜西省西安市高新區(qū)工業(yè)園發(fā)展大道26號(hào)
      • 供應(yīng)產(chǎn)品:55
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      產(chǎn)品詳情

      Product details

      碳化硅(SiC)器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)本測(cè)試系統(tǒng)具有高測(cè)試精度、高靈敏度、高可靠性、高安全性的特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)碳化硅二極管、MOSFET器件開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間、反向電流及反向恢復(fù)電荷等測(cè)試,通過(guò)計(jì)算機(jī)控制,示波器采集波形,由計(jì)算機(jī)處理數(shù)據(jù)并顯示測(cè)試結(jié)果。 主要技術(shù)參數(shù): 測(cè)試產(chǎn)品:SiC FRD,MOSFET(兼容Si基產(chǎn)品) 測(cè)試能力: a、開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試 測(cè)試條件:ID:1A~1000A,VDS:5V~3500V,VGS:-10V~20V,Rg:手動(dòng)可調(diào),阻性,感性負(fù)載 可切換 測(cè)試參數(shù):td(on)\tr\td(off)\tf:.01nS-200nS,Eon\Eoff:10uJ~100mJ B、反向恢復(fù)特性測(cè)試 測(cè)試條件:IF:1A~1000A,VR:5V~3500V, di/dt:50A/us~10000A/us 測(cè)試參數(shù):trr:0.1nS-200nS,QC:1nC~1uC,lrm:1A~200A,Erec:0.1uJ~1mJ C、短路電流測(cè)試 測(cè)試條件:Pulse width:1us~100us,VDS:5V~3500V 測(cè)試參數(shù):Peak ID:10A~1000A,Delta Vds:10V~200V碳化硅(SiC)器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

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      • 聯(lián)系人姓名:杜浩晨
      • 聯(lián)系人職位:經(jīng)理
      • 聯(lián)系人手機(jī):13572125545
      • 企業(yè)電話:86-029-89188495
      • 詳細(xì)地址:陜西省#陜西省陜西省西安市高新區(qū)工業(yè)園發(fā)展大道26號(hào)